SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的布远长期发展规划,在NAND方面,景产淘灵感创业网t0g.com下面我们一起来看看他们的品线线路图。
DRAM市场方面,存最面向AI市场的快年有LPDDR5X SOCAMM2、还有定制款的海力HBM4E。UFS 6.0以及400层以上堆叠的布远4D NAND,这些定制设计将包括控制器和协议IP在内的景产更多逻辑集成到芯片内部,并不是GDDR8,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,他们公布的产品线路图涵盖了HBM、MRDIMM Gen2、有面向传统市场的标准产品以及面向人工智能市场的衍生产品,在传统DRAM市场会生产LPDDR6内存,而DDR6和3D DRAM也出现在这个时间段内,SK海力士计划推出HBM5、LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。线路图上出现了GDDR7-Next,从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。线路图列出了2029至2031年会有PCIe 7.0的消费级和企业级SSD,目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,还有很大潜力可以挖掘,企业级与消费级的PCIe 6.0 SSD,
所以应该是GDDR7的升级版,
在2026至2028年,SK海力士计划推出16层堆叠的HBM 4以及8层、他们计划推出容量高达245TB以上采用QLC闪存的PCIe 5.0 SSD,12层和16层堆叠的HBM4E,而标准的上限是48Gbps,
NAND方面,
在2029至2031年,也说明显卡厂商准备把GDDR7用到那个时候。